Centura^® DPN HD 高純度解耦電漿氮化閘極堆疊

Centura DPN HD (高劑量) 系統包括整合在 Centura 主機的電漿氮化及氮化後退火 (PNA) 反應室。此系統可將 DPN (解耦合電漿氮化) 產品的氮化技術擴展至動態隨機存取記憶體 (DRAM) 的外圍閘極，並且補足了應用材料在邏輯元件上長期領先的氮化技術。

在 DPN HD (高純度解耦電漿氮化) 氮化過程中，用低能量脈衝式電漿將氮注入氧化矽介電質，在閘極堆疊的氮氧化物/多晶矽介面產生所需要的高氮濃度，並維持在矽/氮氧化物介面的低氮濃度，以維持高通道遷移率。新的化學材料以及直接高溫晶圓加熱，可以達到 3X 及 2X 奈米節點氮氧化物閘極所需要的較高劑量的氮濃度，藉以達成優異的漏電及臨界電壓性能。傳統的氮化製程無法達到所要求的漏電及臨界電壓標準。

氮化是將氮原子注入氧化矽 (介電質) 中的一種製程，藉由氮的摻雜可以增加薄膜的電容值，以降低等效氧化層厚度 (EOT)。加入氮除了可以提高介電常數外，還可以降低閘極漏電流，提高摻雜原子經由閘極介電層擴散之阻力。

在氮化處理後，氮氧層中之氮原子濃度會隨著時間逐漸降低。由於 DPN HD 系統將 PNA (氮化後退火) 和 DPN (去耦合電漿氮化) 反應室整合在單一真空環境中，此一系統可以在氮化製程之後馬上進行高溫退火，便能減緩氮的損失。另外，將電漿氮化和 PNA 反應室整合在同一平台上，也可消除時間相關的製程變異，提供了製作氮氧化物閘極所必需的一種較穩定且耐用的製程。PNA 也能避免在氮化過程中產生會導致臨界電壓變化的不穩定鍵結相。由於能減少或消除這個不穩定的鍵結相，PNA 將有助於改善元件性能。