Producer^® Onyx^®

• 혁신적인 필름 처리를 통한 칩 배선 절연 성능 향상으로 모바일 기기의 배터리 수명 증가
• 저 유전율 기술 발전으로 로직 칩을 22nm 노드 이하로 미세화
• 칩의 기계적 강도 증가로 패키징 수율 향상

집적 회로에서 전류가 흐르는 구리 배선은 유전체(비전도성) 재료로 절연합니다. 반도체 소자가 미세화됨에 따라 소자의 속도를 높일 수 있는 능력은 유전체의 유전 상수(k)에 큰 영향을 받습니다. 이에 따라 이 k 값도 낮추어야 합니다. 칩 제조사들은 180nm에서 불소를 추가하여 실리콘 절연 산화막의 k 값을 4.0에서 3.5로, 90/65nm에서 탄소를 추가해 3.0으로, 45/32nm에서 다공성을 적용해 2.5로 점차 낮추었습니다. 현재 다공성 저 유전율 유전체는 구리 인터커넥트를 만들기 위한 기본입니다. 2xnm 기술 노드의 경우에는 요구되는 커패시턴스 감소를 달성하기 위해 극 저 유전율재료(k~2.2)가 필요합니다.

이러한 저 유전율 재료는 10-12 금속층 구조를 만들 때 150개가 넘는 공정 단계에 노출되며 그 후에는 패키징과 어셈블리 공정의 응력을 견뎌야 합니다. 플라즈마 식각, 포토레지스트 박리, 습식 세정, CMP, 차단층 증착 전의 구리 산화물 제거 중에 저 유전율 필름의 표면층 화학 구조가 파괴될 수 있습니다.

어플라이드 Producer Onyx는 저 유전율 필름을 처리해 화학적 무결성을 복원하고 견고성을 향상시키기 위한 새로운 공정입니다. Onyx 공정은 필름의 표면은 물론 벌크 필름도 처리해서 최저의 통합된 k를 구현하고 탄성 계수, 경도 같은 중요한 구조적 특성을 강화합니다.

이러한 처리를 통해 Producer Onyx는 결과적으로 생성된 저 유전율 유전체가 국소 인터커넥트 형성과 후속 차세대 패키징 단계에 대한 2xnm 요건을 충족시키도록 해 줍니다. 또한 수율을 낮출 수도 있는 영향을 상쇄시켜 다른 공정(예를 들어 식각)의 생산성을 향상시킵니다.

Onyx 프로세스는 이미 입증 된 높은 처리량의 Producer^®GT ™ 플랫폼을 사용하여 수행됩니다. 혁신적인 Twin Chamber^® 구조로 최대 6 개의 웨이퍼를 동시에 처리 할 수있어 생산성이 우수합니다.