AKT^®-PiVot^™ DT PVD

AKT-PiVot 25K DT PVD、55K DT PVD 和 100K PVD 系統能在玻璃尺寸為 6 代線 (1500x1850 mm^²)、8.5 代線 (2200x2500 mm^²) 以及 11 代線 (2940x3370 m^²) 的基板上沉積氧化銦錫 (ITO)、氧化銦鎵鋅 (IGZO) 和金屬等薄膜電晶體的關鍵膜層和連接部分。AKT-PiVot 卓越的均勻度、微粒控制能力及穩定的性能，可助力顯示器製造企業生產更高解析度、更小電晶體和更高更新率的新一代電視面板。

獨有的陰極旋轉靶技術精準控制磁極以調整圖層達到極致的穩定性和均勻度，尤其是完全均勻的 IGZO 薄膜將有效解決金屬氧化物 (MOx) LCD 和 OLED 面板生產中的關鍵問題。此外，旋轉靶技術將靶材使用率提高至 70% 以上，相較平面靶材大大節省了目標靶材的成本。當電晶體尺寸不斷縮小，基板尺寸的增大，均勻度和微粒控制對良率的影響越來越大。這些系統配備了自清潔旋轉靶材設計，顯著降低不良缺陷的產生。