金屬氧化

氧化銦鎵鋅 (IGZO) 是一種領先的金屬氧化物薄膜候選材料，其電子遷移率比非晶矽 (a-Si) 高十倍。

IGZO 的高遷移率使得高畫質和 3D 電視螢幕的更新頻率高達 480Hz，並支援可轉換成更小像素的更小型電晶體，以獲得更高的螢幕解析度和更長的電池壽命。製造 MOx 電晶體需要的不僅是用於非晶矽電晶體的電漿輔助化學氣相沉積 (PECVD) 技術。IGZO 薄膜是使用物理氣相沉積 (PVD) 製程進行沉積 - 並透過使用 PECVD 製程沉積的 SiO2 介電薄膜層保護其免受氫污染，氫污染可能會導致金屬氧化物劣化。