金属氧化物

要提供比非晶硅(a-Si)高达十倍的电子迁移率，最主要的金属氧化物膜选择是氧化铟镓锌(IGZO)。

IGZO的高电子迁移率可使高分辨率及3D电视面板的刷新率高达480赫兹，并且支持更小晶体管，以达到更高的像素，延长设备电池的寿命。金属氧化物( MOx )晶体管的制造比用于非晶硅晶体管的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术要求更高。使用PECVD工艺沉积二氧化硅电介质膜层会产生氢污染，IGZO膜层通过物理气相沉积(PVD)工艺沉积而来，可免于遭受可能会降解金属的氢污染。