Endura^® CuBS RF XT PVD

Applied Endura CuBS (Copper Barrier/Seed) RF XT PVD 시스템은 3x/2x급 이상의 로직 및 메모리 응용분야에 사용합니다. SIP(Self-Ionized Plasma) EnCoRe II Ta(N) 차단층과 EnCoRe II RFX 구리 시드 공정 챔버는 전면 피복성, 저온 필름 증착, 최소한의 돌출부, 부드러운 형태를 구현하는 고이온화 PVD 기술을 특징으로 합니다.

고객들은 EnCoRe II Ta(N) 챔버의 두께 조절 기능을 통해 차단층 두께를 줄여 라인 저항을 3x/2x급으로 낮출 수 있고 바닥과 측벽의 뛰어난 피복성을 통해 엘렉트로마이그레이션과 응력 이동을 줄일 수 있습니다. 구리 시드층의 경우에 EnCoRe II RF XT 구리 챔버는 혁신적인 마그네트론 모션, 플럭스 제어, 높은 리스퍼터 비율을 채택하여 정합 피복성을 더욱 높입니다.

이러한 기술은 금속 갭 충진의 품질을 떨어뜨리는 웨이퍼 가장자리의 최종 라인 공극이나 CMP 이후의 결함 같은 문제를 해결해 줍니다.

AKTIV^™ PRECLEAN

기하학적 크기가 감소함에 따라 더욱 중요해지는 경계 문제를 해결하기 위해 어플라이드 머티어리얼즈는 임계 치수나 재료 특성에 영향을 미치지 않고 경계 무결성을 보장하는 다양한 전세정 기술을 제공합니다. Endura CuBS RF XT 시스템은 폴리머 잔류물를 효율적으로 제거하고 CuO를 줄여주는 혁신적인 세정 기술을 제공하는 동시에 Black Diamond II 같은 다공성 저 유전율 레벨 유전체 필름을 보호하는 혁신적인 Aktiv Preclean [챔버 또는 공정]을 특징으로 합니다. 기존의 반응성 전세정 방식과는 달리 Aktiv Preclean 공정은 k 값의 큰 변화가 없기 때문에 차세대 저 유전율 유전체로 전환할 수 있도록 지원합니다.

Applied Endura CuBS RF XT PVD 시스템은 고진공 조건에서 Ta(N)/Ta 차단층과 구리 시드층을 순차적으로 증착합니다. Endura 플랫폼에서 혁신적인 Aktiv Preclean을 포함해 완전한 시퀀스를 통합함에 따라 뛰어난 필름 접착력과 산화물 없는 경계를 구현할 뿐만 아니라 k 값 무결성을 보존해서 낮은 비아 저항과 높은 소자 신뢰도를 달성합니다.