原子尺度精度

材料的成型和去除正变得越来越重要。去除靶原子，同时不去除或损坏靶膜的其余部分以及相邻的薄膜和结构，是一项需要精确度的工作。

导体刻蚀可去除在器件制造过程中沉积的导电和半导体材料（例如金属和硅）。电介质刻蚀可去除绝缘薄膜，这些薄膜往往具有更强的原子键，需要更高的能量。这两种工艺通常都采用反应性离子刻蚀技术，用反应性化学物质和高能离子轰击晶圆表面，产生孔、线和形状。随着器件尺寸的缩小，小型密集结构的精确成型变得越来越困难，低离子能量的原子层刻蚀技术开始涌现出来。与之形成对比的是，在深宽比越来越高的 NAND 结构中，刻蚀导线则需要更高的离子能量。

选择性去除使用基于自由基的化学物质去除目标材料，而不会损坏周围的材料，即使在非可视范围下也可以工作。选择性去除技术为塑造复杂的垂直结构，例如 FinFET、3D NAND 存储器阵列和新兴的环绕栅极晶体管带来了新的自由度。

化学机械平坦化 (CMP) 是一种物理抛光技术，利用化学和磨料快速、精确地去除靶金属和电介质薄膜，为后续工序打下牢固、均匀和平坦的基础。CMP 对于创建垂直结构至关重要，因为这些结构需要建立在优良的基础上。