Endura^™ PVD

当前 200mm 物理气相沉积 (PVD) 面临的挑战在于，要能够沉积更厚的高度均匀低温兼容性薄膜。在功率器件市场中，能够高速切换且形状系数和空间占用小的器件，正推动对先进散热技术的需求，如厚度范围为 4µm 到超过 100µm 的 Al 层。

微机电系统 (MEMS)、CMOS 图像传感器和封装技术（如硅通孔 (TSV)）领域的新兴应用，正在推动氮化铝 (AlN)、氧化铟锡 (ITO)、氧化铝 (Al₂O₃) 和锗 (Ge) 等薄膜的 PVD 发展。

Endura PVD 200mm

应用材料公司的 Endura 平台是半导体行业有史以来最成功的金属化系统。凭借跨越前段金属化（如钴、钨、铝和铜互连）以及凸点下金属化等封装应用的沉积功能，过去 20 年制造的大多数微芯片均由 Endura 系统生产，目前，Endura 系统在全球的销量已超过 4,500 套。

Endura 能够以严格的薄膜厚度控制、出色的底部覆盖率和高共形性沉积多种超纯薄膜，这一能力是制造尖端器件的关键。该系统最多可容纳九个工艺腔室，从而能够混搭腔室，以创建集成的多步工艺序列。高度可配置的 Endura 平台支持两个可去除原生氧化物的预清洁腔室、多达六个 PVD 腔室以及两个 MOCVD 腔室（可选），以确保满足客户薄膜沉积和器件性能要求。

升级

目前有数千台 Endura 已投入使用，其中许多还是采用原始配置，因此我们提供了很多产品改进方案，可用于提升工艺性能和提高设备生产效率。例如，可通过将腔室 A 从流通腔室转换为冷却腔室，消除冷却腔室的产能瓶颈。通过 EZ LCF 可避免晶圆放置错误，同时通过严格的边缘排除来提升夹紧工艺的性能，并消除与多腔室工艺序列有关的层叠错误。此外，腔室升级可用于包括 TxZ 在内的许多腔室，以提升在片均匀性和减少维护工作。