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報道資料
2021 年 6 月 17 日
(日本時間)
アプライド マテリアルズ( Applied Materials, Inc., Nasdaq AMAT 、本社:米国カリフ ォルニア州サンタクララ、社長兼 CEO ゲイリー・ E ・ディッカーソン )は 6 月 16 日(現 地時間)、 先端 ロジック 半導体 のスケーリングを 3nm ノード以降に進める新たな 配線 技術 を発表しました。
トランジスタの微細化は性能に寄与する反面、 配線 接続 にはマイナスの影響を及ぼしま す。 配線 が微細化するほど電気抵抗が高まり、性能 低下 と消費電力増につながるからで す。 7nm ノードから 3nm ノードに移行する場合、マテリアルズエンジニアリングのブレ ークスルーがなければ 配線 のビア抵抗は 10 倍に増え、トランジスタのスケーリングによ るメリットが打ち消されてしまいます。
そこでアプライド マテリアルズは、 Endura® Copper Barrier Seed IMS™ と呼ばれる新 しい マテリアルズ エンジニアリング ソリューションを開発しました。これは 7 つの異な るプロセス技術( ALD 、 PVD 、 CVD 、 Cu (銅)リフロー、表面処理、インターフェース エンジニアリング、計測)を高真空下で 1 システムに統合するイ ンテグレーテッド マテ リアルズ ソリューションです。コンフォーマル ALD に代わって選択的 ALD を採用した ことで、ビアインターフェース に使われていた抵抗値の高い バリア をなくすことが可能と なりました 。さらに Cu リフロー技術により、 狭い 形状でもボイドフリーのギャップフィ ルが可能です。ビアのコンタクトインターフェースにおける電気抵抗は 最大 50% 低減し、 チップの性能と電力消費が改善されるほか、 3nm ノード以降へのロジックスケーリングも 可能となります。このプロセスシーケンスをアニメーションで説明した動画は以下 のリン クから ご覧いただけます。 https://bit.ly/3g8HMe1
アプライド マテリアルズのシニアバイスプレジデント兼セミコンダクタプロダクトグル ープ ジェネラルマネージャー、プラブー・ラジャは、次のように述べています。「スマー トフォンの 半導体 チップには数百億個もの Cu 配線 が使われており、供給される電力の実 に 3 分の 1 が 配線 部分で消費されています。複数のプロセス技術を真空下で 統合 すること で、材料と構造を 再構築して 、より有用でバッテリー寿命の長いデバイスをお客様に提供 できます。この 独自の インテグレーテッド ソリューション により 、 お客様は 性能、消費 電力、面積 あたり コストに関するロードマップ達成を 加速させることができます 」
Endura Copper Barrier Seed IMS はすでに全世界の 主要な ファウンドリやロジックメー カーに採用されています。このシステムとロジックスケーリングに 向けた その他 の イノベ ーションの 詳細は、 米国時間 6 月 16 日に アプライド マテリアルズが開催 した 2021 Logic Master Class で紹介 しています 。
アプライド マテリアルズ( Nasdaq: AMAT )は、マテリアルズ エンジニアリングのソリューション を提供するリーダーとして、世界中のほぼ全ての半導体チップや先進ディスプレイの製造に寄 与します。原子レベルの マテリアル 制御を産業規模で実現する専門知識により、お客様が可 能性を現実に変えるのを支援します。 アプライド マテリアルズはイノベーションを通じてよりよい 未来を可能にします 。
詳しい情報はホームページ www.appliedmaterials.com でもご覧いただけます。
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このリリースは6月16日、米国においてアプライド マテリアルズが行った英文プレスリリースをアプライド マテリアルズ ジャパン株式会社が翻訳の上、発表するものです。
アプライド マテリアルズ ジャパン株式会社(本社:東京都、代表取締役社長:中尾 均)は1979年10月に設立。大阪支店、川崎オフィスのほか16のサービスセンターを置き、日本の顧客へのサポート体制を整えています。
このリリースに関する詳しいお問い合わせは下記へ
アプライド マテリアルズ ジャパン株式会社 広報担当 (Tel: 03-6812-6801)
ホームページ: www.appliedmaterials.com/ja
June 17, 2021